服務項目

SIMS

SIMS(Secondary Ion Mass Spectrometry) 二次離子質譜儀

SIMS以帶能量之一次離子入射而撞擊樣品表面,激發出二次離子,藉由量測此二次離子之荷質比(M/e)值,即可鑑定其為何種元素,如下圖所示。


 

SIMS分析優點

  • •從氫氣到鈾及以上的所有元素(偵測極限低至~ppm/ppb)
  • •屬於破壞性分析(材料濺射)
  • •可以應用於任何類型的固體材料(絕緣體,半導體,金屬)
  • •分析薄膜成分與結構、材料表面成分、元素縱深分佈圖(Depth Profile)
  • •可分析同位素
  • •元素縱深解析度較好
  • •1µm以上薄膜縱深分析較快

SIMS分析缺點

  • • 影像解析度較差(100nm50µm)
  • • 正負離子須用不同離子槍分析
  • • 未知元素分析較困難
 

 


 

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黃小姐 分機 6218
E-mail: huini_huang@msscorps.com