SIMS

SIMS(Secondary Ion Mass Spectrometry) 二次離子質譜儀

SIMS以帶能量之一次離子入射而撞擊樣品表面，激發出二次離子，藉由量測此二次離子之荷質比(M/e)值，即可鑑定其為何種元素，如下圖所示。

SIMS分析優點

• •從氫氣到鈾及以上的所有元素（偵測極限低至~ppm/ppb）
• •屬於破壞性分析（材料濺射）
• •可以應用於任何類型的固體材料（絕緣體，半導體，金屬）
• •分析薄膜成分與結構、材料表面成分、元素縱深分佈圖(Depth Profile)
• •可分析同位素
• •元素縱深解析度較好
• •1µm以上薄膜縱深分析較快

SIMS分析缺點

• • 影像解析度較差(100nm50µm)
• • 正負離子須用不同離子槍分析
• • 未知元素分析較困難

▍工程聯繫窗口

黃小姐 分機 6218
E-mail: huini_huang@msscorps.com